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磁场辅助电火花加工平台开发及SiC_p/Al加工试验研究 CNKI期刊论文 OAI收割
2023
作者: 王侃; 王金来; 范哲; 许祥宇; 李府谦

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电火花加工(EDM) 磁场碳化硅铝复合材料单脉冲放电材料去除率

低剂量γ射线辐射氧化法制备SiC纤维研究 期刊论文 OAI收割
化工新型材料, 2014, 期号: 3, 页码: 60-62+65
叶泽文; 王谋华; 吴国忠

收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2015/03/13

聚碳硅烷纤维碳化硅纤维辐射氧化-热交联氧含量电阻率

中红外波长负折射率液晶材料 期刊论文 OAI收割
液晶与显示, 2013, 期号: 01, 页码: 15-18
作者: 宣丽; 彭增辉; 杨程亮

收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2014/03/07

负折射率碳化硅向列相液晶中红外

碳化硅表面硅改性层的特性研究 期刊论文 OAI收割
激光与光电子学进展, 2012, 期号: 03, 页码: 141-145
作者: 范镝; 高劲松; 张峰

收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2013/03/11

光学表面碳化硅表面改性离子束辅助沉积表面粗糙度表面反射率

活性石灰煅烧条件及其活性评价指标的研究 期刊论文 OAI收割
无机盐工业, 2012, 期号: 2, 页码: 17-19
作者: 王树轩

收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2013/04/22

活性度法石灰石灰石碳化率法

碳化法制备重铬酸钠工艺优化 期刊论文 OAI收割
过程工程学报, 2012, 期号: 04, 页码: 636-640
曲景奎; 周恩年; 郭为; 余志辉; 齐涛

收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2014/08/27

铬酸钠碳化率工艺条件优化重铬酸钠

反应烧结多孔碳化硅的高温氧化行为 期刊论文 OAI收割
材料研究学报, 2010, 期号: 1, 页码: 103-107
郑传伟; 杨振明; 张劲松

收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/04/12

无机非金属材料热氧化反应烧结多孔碳化硅孔隙率动力学

短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文 OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者: 宁锦华

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收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2012/08/22

由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。

固着磨料加工碳化硅反射镜的实验 期刊论文 OAI收割
光学精密工程, 2009, 期号: 4
作者: 刘建卓; 王旭

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碳化硅反射镜固着磨料丸片去除率表面粗糙度

固着磨料加工碳化硅反射镜的微观理论模型 期刊论文 OAI收割
光学精密工程, 2009, 期号: 3
作者: 王旭

收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2012/09/25

碳化硅反射镜固着磨料丸片去除率粗糙度