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OAI收割 [21]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [4]
学位论文 [4]
发表日期
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2013 [1]
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2011 [2]
2010 [3]
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电弧加热器高温流场激光吸收光谱诊断
期刊论文
OAI收割
实验流体力学, 2017, 卷号: 31, 期号: 04, 页码: 28-33
作者:
曾徽
;
陈连忠
;
林鑫
;
欧东斌
;
董永辉
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2017/12/22
激光吸收光谱
电弧加热器
等离子体流场诊断
原子氧粒子密度
气流温度
超短相对论激光与固体靶相互作用 的等离子体动力学研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2013
作者:
黄林根
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2016/11/28
激光等离子体相互作用
等离子体加热
电离
激光质子加速
particle-in-cell
低功率氨电弧加热发动机数值模拟
会议论文
OAI收割
中国工程热物理学会, 2012
陈轩
;
耿金越
;
孙素蓉
;
王海兴
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/03/21
电弧加热发动机
等离子体
数值模拟
氨气
氮氢混合物模拟气体
氢电弧加热发动机能量转化过程比较研究
会议论文
OAI收割
中国工程热物理学会传热传质学学术会议, 上海, 2010-10-9~2010-10-10
作者:
耿金越
;
王海兴
;
陈熙
;
潘文霞
;
Wang HX
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2011/01/12
电弧加热发动机
等离子体
工作参数
能量转化
数值模拟
喷管长度对氨电弧加热发动机性能影响的模拟研究
会议论文
OAI收割
第6届中国电推进技术学术研讨会, 北京, 2010-09-02~2010-09-03
作者:
耿金越
;
王海兴
;
陈熙
;
潘文霞
;
Wang HX
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2011/01/12
电弧加热发动机,等离子体,数值模拟,喷管长度
低功率氩电弧加热发动机的数值模拟
期刊论文
OAI收割
强激光与粒子束, 2010, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1539-1542
作者:
陈熙
;
汤海滨
;
潘文霞
;
王海兴
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/05/03
电弧加热发动机
等离子体
流动与传热
数值模拟
千瓦级氩电弧加热发动机的二维数值模拟
期刊论文
OAI收割
工程热物理学报, 2010, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 821-823
作者:
汤海滨
;
潘文霞
;
陈熙
;
王海兴
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/05/03
电弧加热发动机
等离子体
流动与传热
数值模拟
动力学阿尔文波及其在太阳和空间等离子体中的应用(英文)
期刊论文
OAI收割
物理学进展, 2010, 卷号: 30, 期号: 2, 页码: 101-172
Wu De-jin
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2011/11/23
等离子体物理
动力学阿尔文波
波粒相互作用
太阳日冕加热
极光电子加速
低功率氩电弧加热发动机内传热与流动的数值模拟
会议论文
OAI收割
第十四届全国等离子体科学技术会议暨第五届中国电推进技术学术研讨会, 中国辽宁大连, 2009-07-20
作者:
王海兴
;
潘文霞
;
陈熙
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/11/25
电弧加热发动机
8604,传热与流动
4189,等离子体流
1629,低功率
1059,阴极弧
1000,数值模拟方法
970,内部过程
943,中心轴线
906,喷管
721,扩张段
675
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。