机构

• 半导体研究所 [2]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2010 [1]

学科主题

• 红外探测材料与器件 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 陶东言 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/05/29 稀磁半导体  GaN  GaSb  表面钝化  肖特基器件   GaN基SBD功率器件研究进展 期刊论文  OAI收割 微纳电子技术, 2014, 卷号: 51, 期号: 5 李迪 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/05/29 氮化镓  肖特基势垒二极管  功率器件  肖特基金属  漏电流  等离子体处理   氮化镓基肖特基光电器件的研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  储开慧   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/09/11 Gan基肖特基器件  器件制备  电容特性  真空紫外