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OAI收割 [8]
内容类型
学位论文 [6]
期刊论文 [2]
发表日期
2015 [4]
2014 [1]
2012 [2]
2006 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
刘胜北
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2015/12/08
4H-SiC
肖特基二极管
JBS
沟槽型肖特基
欧姆接触
石墨烯与GaN材料的接触研究
学位论文
OAI收割
硕士: 中国科学院大学, 2015
作者:
徐昌一
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2016/04/11
石墨烯
GaN
探测器
MOCVD
肖特基接触
Cu基AlGaN/GaN肖特基势垒二极管研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
李迪
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2015/05/29
氮化镓
肖特基接触
铜
镍
铬
开启电压
漏电流
博士后出站报告-4H-SiC肖特基二极管探测器的制备和表征
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院, 2015
作者:
杜园园
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2019/03/18
4H-SiC
欧姆接触
肖特基二极管
热电子发射
高压特性
γ射线探测器
4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
郑柳
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2014/06/05
4H-SiC
肖特基二极管
双阻终端扩展
欧姆接触
可靠性
TMBS
4H-SiC/SiO2界面
石墨烯与宽禁带半导体材料的接触特性研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
钟海舰
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浏览/下载:275/0
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提交时间:2012/09/11
石墨烯 宽禁带半导体 肖特基势垒 费米能级 接触 极性 堆垛
电极功函数对TiO_2/PbS平面异质结激子太阳电池性能影响的理论模拟
期刊论文
OAI收割
高等学校化学学报, 2012, 卷号: 033, 期号: 3, 页码: 555-559
作者:
朱俊
;
胡林华
;
戴松元
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2012/07/07
激子太阳电池
量子点
微光电子结构分析
肖特基接触
“镍纳米线/多壁碳纳米管/非晶碳纳米管”一维轴向异质结的结构与伏安特性
期刊论文
OAI收割
电子显微学报, 2006, 期号: S1, 页码: 53
朱静
;
罗俊
;
叶恒强
;
邢英杰
;
俞大鹏
;
张鹭
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/04/12
异质结:5720
多壁碳纳米管:4820
伏安特性:4601
镍纳米线:2567
一维:2056
肖特基接触:1971
非晶半导体:1816
轴向:1433
半导体性:1244
界面结构:1119