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	超表面上表面等离激元波的光栅衍射行为研究期刊论文 OAI收割中国光学, 2018, 期号: 01, 页码: 60-73 作者: 王雪飞; 卢振武; 王泰升; 鱼卫星 \| 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2019/09/17 表面等离子体波金属光栅耦合近场衍射微纳尺度
	量子级联红外探测器及其应用研究学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 翟慎强收藏 \| 浏览/下载：55/0 \| 提交时间：2014/06/03 量子级联探测器甚长波表面等离子体耦合红外成像高频响应
	金纳米线与亚波长狭缝结合实现局域场增强研究期刊论文 OAI收割光子学报, 2014, 期号: 1, 页码: 79-83 作者: 郝鹏; 吴一辉; 周文超收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2015/04/17 微纳光学类法布里-珀罗共振有限元法近场耦合纳米线狭缝喇曼散射表面等离子体共振
	亚波长周期金属结构中光传输特性的研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2010 作者: 汪丽春收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2016/11/28 表面等离子体激元亚波长金属光栅时域有限差分严格耦合波分析
	短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者: 宁锦华 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。
	CF_4射频容性耦合等离子体对硅橡胶表面双疏改性的研究期刊论文 OAI收割功能材料, 2009, 期号: 1, 页码: 79-81 高松华; 闻立时; 周克省; 刘洋; 雷明凯收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2012/04/12 硅橡胶容性耦合等离子体表面改性 XPS
	CF4射频容性耦合等离子体对硅橡胶表面双疏改性的研究期刊论文 OAI收割功能材料, 2009, 卷号: 40.0, 期号: 1.0, 页码: 79-81 作者: 高松华; 闻立时; 周克省; 刘洋; 雷明凯 \| 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2021/02/26 硅橡胶容性耦合等离子体表面改性 XPS
	大面积平面表面波等离子体的研究期刊论文 OAI收割真空与低温, 2002, 卷号: 008 - \| 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2020/10/26 表面波等离子体源高密度等离子体设计耦合天线角向电子密度温度均匀性