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学科主题
半导体材料 [1]
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离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
王浩林
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2016/07/07
六方氮化硼
二维原子晶体
离子束溅射沉积
衬底
大尺寸晶畴
图形蓝宝石衬底上的GaN 生长及LED 的光电性能研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
黄小辉
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浏览/下载:100/0
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提交时间:2012/09/10
氮化镓 LED 图形蓝宝石衬底 MOCVD 抗静电
AlGaN/InGaN异质结中一种新缺陷的TEM表征
会议论文
OAI收割
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 广州, 2008-11-30
闫鹏飞
;
隋曼龄
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2013/08/21
氮化镓异质结
化学气相沉积法
蓝宝石衬底
紫外光发光二极管
位错滑移
带状缺陷
发光性能
新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
会议论文
OAI收割
第六届中国功能材料及其应用学术会议, 2007
王曦
;
孙佳胤
;
武爱民
;
陈静
;
王曦
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/18
氮化镓 宽禁带半导体材料 SOI衬底 热膨胀系数 反应离子刻蚀
III族氮化物半导体衬底材料的制备研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2005
作者:
彭观良
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提交时间:2016/11/28
III族氮化物
半导体
衬底
白宝石
铝酸锂
高容量的Ti-V基BCC相储氢合金
期刊论文
OAI收割
高等学校化学学报, 2004, 期号: 02
余学斌
;
吴铸
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/06
GaN
衬底氮化
氢化物气相外延
Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响
期刊论文
OAI收割
光电子·激光, 2003, 期号: 08, 页码: 783-786
作者:
申德振
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提交时间:2013/03/11
ZnO
Si衬底
氮化
等离子增强化学气相沉积(PECVD)
GaN、ZnO的外延衬底材料和外延膜制备及其缺陷的研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2003
作者:
杨卫桥
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2016/11/28
氮化稼
白宝石
镓酸锂
铝酸锂
氧化锌
衬底