机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 双平面掺杂和单平面掺杂PHEMT器件的性能比较 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 247-251 作者:  和致经;  刘新宇;  郑英奎;  陈震;  吴德馨   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 赝配高电子迁移率晶体管（phemt）  平面掺杂  线性度