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OAI收割 [9]
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会议论文 [1]
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学科主题
光学材料;晶体 [1]
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共9条,第1-9条
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偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
核技术, 2015, 卷号: 38, 期号: 6, 页码: 38-44
作者:
刘默寒
;
陆妩
;
马武英
;
王信
;
郭旗
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2015/09/10
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
偏置条件
退火
双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2013, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 657-663
作者:
胡天乐
;
陆妩
;
何承发
;
席善斌
;
周东
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/05/24
双极运算放大器
电子辐照
偏置条件
退火
PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 7, 页码: 325-330
作者:
胡天乐
;
陆妩
;
席善斌
;
郭旗
;
何承发
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/06/14
Pnp输入双极运算放大器
电子和60coγ源
偏置条件
退火
一种适用于文蛤家系鉴定的微卫星标记方法
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201210112325.X, 申请日期: 2012-10-10, 公开日期: 2012-10-10
作者:
刘保忠
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2014/08/04
一种适用于文蛤家系鉴定的微卫星标记方法
2)引物设计:在微卫星重复的侧翼序列利用软件Primer?Premier?5.0设计引物
GC含量为40%?60%
退火温度为45?65℃
预期PCR产物长度为100?400bp
3)引物优化:根据不同引物的Tm值进行温度梯度优化
4)微卫星标记家系鉴定体系的确立:微卫星位点的多态性水平可用信息含量值(PIC)衡量
包括微卫星位点来源
引物设计条件为:引物长度为19?25mer
在Tm值上下各10℃
根据上述优化获得的Ta值
引物设计
温度梯度优化扩增得到的PCR产物用8%非变性聚丙烯酰胺凝胶电泳?EB染色系统进行检测
选取多个体作为群体进行计算微卫星位点的多态性水平可用信息含量值(PIC)进而衡量多态性信息
引物优化和微卫星标记家系鉴定体系
选取杂带较少
根据PIC值
其特征在于:1)微卫星位点的来源:提取文蛤的基因组DNA利用提取的DNA
特异性产物亮度较高的PCR反应对应的温度为该引物的最佳退火温度Ta
PIC小于0.25的标记
采用限制性内切酶法获得文蛤基因组DNA片段
筛选得到重复性好
并构建微卫星磁珠富集文库
稳定性好
检测阳性克隆
PIC值大于0.25的位点
经测序得到含有微卫星重复的DNA序列
作为文蛤微卫星标记家系鉴定体系
用于文蛤的家系区分与个体识别。
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 10, 页码: 1252-1256
作者:
陈睿
;
陆妩
;
任迪远
;
郑玉展
;
王义元
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/11/29
模数转换器
60Coγ辐照
室温退火
偏置条件
LiNbO3:Fe:Ni晶体非挥发全息存储研究
期刊论文
OAI收割
中国激光, 2005, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 1243, 1248
郭袁俊
;
刘立人
;
刘德安
;
柴志方
;
朱荣
收藏
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浏览/下载:1440/111
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提交时间:2009/09/18
全息
holography
非挥发全息记录
nonvolatile holographic storage
LiNbO3:Fe:Ni晶体
LiNbO3∶Fe∶Ni crystal
微观光学参量
microcosmic optical parameter
退火条件
annealing conditions
离子注入及后退火方法制备的高质量镶嵌在SiO_2基质中的ZnO纳米粒子的结构和光学性质
会议论文
OAI收割
中国北京
作者:
孔祥贵
;
申德振
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/03/19
纳米粒子:5004
离子注入:4779
光学性质:3162
高质量:2807
退火温度:2626
退火时间:2603
光学纯:2452
实验条件:2359
制备过程:2204
物理研究所:2025
爆炸消除焊接残余拉应力新技术
期刊论文
OAI收割
科技通报, 1987, 期号: 5, 页码: 27-29
陈亮山
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/12
退火过程:4104
焊接构件:4006
爆炸消除焊接残余应力:3953
消除应力处理:3905
爆炸过程:3128
消除残余应力:2654
异种金属焊接:2492
塑性应变:2281
爆炸处理:2132
爆炸条件:1850
用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布
期刊论文
OAI收割
微细加工技术, 1983, 期号: 1, 页码: 31-36
作者:
殷士端
;
张敬平
;
顾铨
;
钟士谦
;
王振明
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2015/12/25
浓度分布
背散射
退火温度
退火条件
高斯分布
注入剂量
晶向偏离
退火过程
热扩散
微波晶体管