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依恋安全削弱风险行为及其内在神经机制 学位论文  OAI收割
中国科学院心理研究所: 中国科学院大学, 2024
作者:  
王贝依
  |  收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2024/07/08
卫星双向比对中变频器路径时延随温度变化研究 会议论文  OAI收割
第二届中国卫星导航学术年会, 中国上海, 2011
张虹; 李焕信
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2012/10/19
设备时延  温度  频率转换器  时间传递精度|Abstract    下变频器是卫星双向时间与频率传递(TWSTFT)中非常重要的设备。在时间传递过程中  他们起到了把中频信号(70MHz)与高频信号(上行14GHz或者下行12GHz)相互转换的作用。测量评估变频器传递时延受温度的影响  选择合适的温度减小温度影响  达到提高卫星双向时间传递精度的目的。本文做了以下实验  用闭环频率转换器代替卫星转发器  在它周围控制温度变化  利用卫星双向闭环实验测量传递时延。分别用温度记录仪和计数器记录温度变化和时延值  分析研究两者关系  得到以下结论  变频器的传递时延在温度区间6—13摄氏度时最稳定。换句话说  在这个温度区间  变频器的传递时延随温度变化最小。因此为了减小在时间传递中温度对设备时延的影响  最好把温度控制在这个温度区间。文章最后将温度区间6—13摄氏度传递精度与其他温度区间的传递精度做比较分析。  
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
环境绩效审计理论与方法探讨 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2007
贺桂珍
收藏  |  浏览/下载:88/0  |  提交时间:2010/06/23
基于决策树算法的可用性评估平台的实现 期刊论文  OAI收割
计算机仿真, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 53-57
常晓红; 苏菲
  |  收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2011/07/13
怀远县城镇发展水平评估和发展对策 中文期刊论文  OAI收割
2003
作者:  
张义丰
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2012/05/16