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新疆理化技术研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
学科主题
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共1条,第1-1条
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部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 10, 页码: 323-329
作者:
李明
;
余学峰
;
薛耀国
;
卢健
;
崔江维
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提交时间:2012/11/29
部分耗尽绝缘层附着硅
静态随机存储器
总剂量效应
功耗电流