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22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
王保顺
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提交时间:2020/11/19
鳍式场效应晶体管
总剂量效应
热载流子可靠性
SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者:
姬庆刚
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提交时间:2019/11/21
辐射探测电路
专利
OAI收割
专利号: CN201410594331.2, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2015-03-11
作者:
刘梦新
;
罗家俊
;
韩郑生
;
赵发展
;
刘鑫
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提交时间:2018/02/08
静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者:
郑齐文
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提交时间:2015/06/15
大规模集成电路
总剂量辐射
静态随机存储器
损伤机制
试验方法
微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射效应及评估方法研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014
作者:
丛忠超
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提交时间:2014/09/02
Sram
测试系统
辐照偏置
静态功耗电流
失效模式
12位超低功耗电流与电阻分压组合结构CMOS DAC的设计
学位论文
OAI收割
硕士, 2013
作者:
马彪
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提交时间:2016/02/02
不同规模SRAM辐射损伤效应的研究
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2013, 卷号: 43, 期号: 3, 页码: 426-430
作者:
卢健
;
余学峰
;
郑齐文
;
崔江维
;
胥佳灵
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提交时间:2013/11/06
静态随机存储器
总剂量效应
阈值电压
静态随机存储器总剂量辐射效应及损伤机理的研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
卢健
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提交时间:2016/05/10
Sram
大规模集成电路
不同偏置
总剂量辐射效应
辐射损伤
CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2012, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 346-350
作者:
李豫东
;
郭旗
;
陆妩
;
周东
;
何承发
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提交时间:2012/11/29
Charge coupled devices
Electron irradiation
Experiments
Ionization