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大功率AlGaInP/GaInP半导体激光器非吸收窗口的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
田伟男
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/05/28
大功率半导体激光器
Algainp材料
量子阱混杂
非吸收窗口
InP基近中红外激光器的理论模拟和MOCVD材料生长
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李健
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2017/06/02
InP基量子阱激光器
量子级联激光器
异变材料生长
GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
期刊论文
OAI收割
光谱学与光谱分析, 2009, 期号: 6, 页码: 1441-1444
作者:
陈伟华
;
廖辉
;
胡晓东
;
李睿
;
贾全杰
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2015/12/25
GaN基激光器
多量子阱(MQWs)
AlInGaN
垒材料
光电功能材料的量子态特性研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
王茺
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/08/14
光电功能材料
介电函数
压电调制光谱
光调制光谱
量子态
应变量子阱
Inas/ingaas量子点
光致发光光谱
Ganxas1-x合金薄膜
弧线形效应
锰氧化物p-n结
量子干涉效应
正磁电阻
标度理论
相干长度
无线传感器网络中的OPNET仿真模型的研究
期刊论文
OAI收割
计算机工程, 2007, 期号: 04
姜华
;
王沛
;
刘海涛
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/01/06
光学材料
应变多量子阱
干法刻蚀
损伤
光致发光
离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理
会议论文
OAI收割
功能材料, 2006
吴惠桢
;
曹萌
;
劳燕锋
;
刘成
;
谢正生
;
曹春芳
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/01/18
半导体材料 离子刻蚀 应变多量子阱 光致发光
低维光电子材料的建模和模拟研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2005
作者:
周旭昌
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/07/11
低维材料
P型δ掺杂材料
Qwip-led
Thz多波段量子阱芯片
耦合量子点
半导体材料光电性能调控研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2004
作者:
陈贵宾
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/06/25
材料芯片技术
离子注入
量子阱
量子点
Hgcdte
P-n结
Pl谱
I-v特性
GaAs、GaSb基材料生长及其器件研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2004
李冰寒
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2012/03/06
器件研究:5515
材料生长:5412
量子阱结构:2950
应变量子阱:2655
GaAs:2332
集电结:2272
GaSb:2272
AlGaInP:1893
欧姆接触:1812
峰值波长:1375
半导体量子点激光器的发展
期刊论文
OAI收割
光机电信息, 2002, 期号: 04, 页码: 26-30
作者:
宁永强
;
王立军
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/03/11
量子点激光器:9544
量子阱材料:1331
电流密度:1224
量子点材料:1167
面发射激光器:1095
半导体激光器:1050
特征温度:913
量子线:714
自组装:556
生长模式:547