中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
长春光学精密机械与物... [1]
微电子研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
学位论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [1]
2017 [1]
2012 [1]
2007 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 12, 页码: 319-327
作者:
刘博阳
;
宋文涛
;
刘争晖
;
孙晓娟
;
王开明
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:55/0
  |  
提交时间:2021/07/06
铝镓氮
相分离
扫描开尔文探针显微术
荧光光谱
含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李巍
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2017/06/05
氮化镓
铟铝氮
高电子迁移率晶体管
二维电子气
电流崩塌
GaN 基 HEMT材料的新结构研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2012/05/30
氮化镓
铟铝氮
二维电子气
高电子迁移率晶体管
短沟道效应
偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2007, 期号: 2
作者:
鲁净
;
禡龙
;
刘明
;
王燕
;
薛丽君
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/05/26
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管