机构

• 半导体研究所 [2]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2012 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 李巍 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/06/05 氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌   GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 毕杨 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/05/30 氮化镓  铟铝氮  二维电子气  高电子迁移率晶体管  短沟道效应   偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2007, 期号: 2 作者:  鲁净;  禡龙;  刘明   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管