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含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李巍
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
铟铝氮
高电子迁移率晶体管
二维电子气
电流崩塌
GaN 基 HEMT材料的新结构研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
毕杨
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/05/30
氮化镓
铟铝氮
二维电子气
高电子迁移率晶体管
短沟道效应
偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析
期刊论文
OAI收割
固体电子学研究与进展, 2007, 期号: 2
作者:
鲁净
;
禡龙
;
刘明
;
王燕
;
薛丽君
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提交时间:2010/05/26
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管
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