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半导体研究所 [3]
金属研究所 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
学位论文 [3]
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2017 [1]
2015 [1]
2000 [1]
1996 [1]
学科主题
半导体器件 [2]
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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共5条,第1-5条
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中红外GaSb基窄线宽激光器制备的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
罗皓
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提交时间:2018/05/29
锑化镓
量子阱
单模激光器
Dbr光栅
纳米压印
中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
柴小力
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提交时间:2017/05/31
窄带隙半导体
锑化镓量子阱
中红外激光器
分子束外延
DBR光栅
GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究
学位论文
OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
程雨
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2015/05/29
锑化镓(GaSb)
化学机械抛光
二次离子质谱(SIMS)
XPS
表面形貌
重力对GaSb熔滴和液/固界面交互作用的影响
期刊论文
OAI收割
物理学报, 2000, 卷号: 49.0, 期号: 010, 页码: 2094-2100
作者:
王超英
;
翟光杰
;
吴兰生
;
麦振洪
;
李宏
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提交时间:2021/02/02
微重力
润湿性
液/固界面
锑化镓
熔滴
锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究
期刊论文
OAI收割
物理化学学报, 1996, 期号: 03
曹阳
;
陆寿蕴
;
李爱珍
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提交时间:2012/03/29
K1 半导体电化学
半导体光电化学
锑化镓的光助微刻蚀
锑化镓电极的界面性质