机构

• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 6，2303-2308 作者:  韩郑生;  李瑞贞   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/05/26 全耗尽soi  Mosfets  表面势  阚值电压