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浏览/检索结果: 共176条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Simulation study on single-event burnout in field-plated Ga2O3 MOSFETs 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 卷号: 149 作者:  Yu, Cheng-hao;  Guo, Hao-min;  Liu, Yan;  Wu, Xiao-dong;  Zhang, Li-long   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2023/11/10 Depletion-mode  Single-event burnout (SEB)  Single-event gate rupture   Design of multi-frequency point, high-isolation switches for micro-channel plate data acquisition 期刊论文  OAI收割 REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, 2023, 卷号: 94, 期号: 10 作者:  Yang, Yihao;  Gou, Yongsheng;  Yang, Yang;  Feng, Penghui;  Wang, Bo   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2023/12/06 Design of DC Magnet Power Supply System for ITER Static Magnetic Field Test Facility 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE, 2022 作者:  Deng, Xi;  Jiang, Li;  Huang, Ya;  Gao, Ge   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/12/23 Inductors  Topology  Switches  Power supplies  Switching frequency  Harmonic analysis  Buck converters  Interleaving parallel buck converter  International Thermonuclear Experimental Reactor (ITER)  large output capability  multilevel  static magnetic field (SMF) test facility   Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429 作者:  Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3];  Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3];  Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3];  Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3];  Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2022/03/24 SiC Power MOSFETs  Switching Characteristics  Total Ionizing Dose (TID) Effect  Static Characteristic  Parasitic Capacitance   Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 3, 页码: 1071-1076 作者:  Weijiang Ni ;   Xiaoliang Wang ;   Miaoling Xu ;   Mingshan Li;   Chun Feng;   Hongling Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li;   Quan Wang   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/11/05 Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling   Three-Dimensional Mechanistic Modeling of Gate Leakage Current in High- κ MOSFETs 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 024020 作者:  Feilong Liu;   Yue-Yang Liu;   Ling Li;   Guofu Zhou;   Xiangwei Jiang;   Jun-Wei Luo   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2021/11/30 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者:  席善学   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/07/15 总剂量效应  部分耗尽  浅槽隔离  模型   Recent progress in diamond-based MOSFETs 期刊论文  OAI收割 International Journal of Minerals, Metallurgy, and Materials, 2019, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1195-1205 作者:  Xiao-lu Yuan;  Yu-ting Zheng;  Xiao-hua Zhu;  Jin-long Liu;  Jiang-wei Liu;  Cheng-ming Li;  Peng Jin;  Zhan-guo Wang   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/07/31 Circuit arrangement and method for controlling and measuring a current in a charge element 专利  OAI收割 专利号: US20180331499A1, 申请日期: 2018-11-15, 公开日期: 2018-11-15 作者:  BELLINGRATH, THOMAS   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31