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	韩国攻克半导体关键技术的组织管理模式及启示期刊论文 OAI收割世界科技研究与发展, 2019, 卷号: 41, 期号: 01, 页码: 97-101 作者: 金瑛; 胡智慧; 刘涛; 方晓东 \| 收藏 \| 浏览/下载：54/0 \| 提交时间：2019/11/10 韩国半导体动态随机存储器 Dram 组织管理模式
	电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响期刊论文 OAI收割原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372 作者: \| 收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2019/11/18 单粒子翻转总剂量效应协同效应静态随机存储器
	辐照离子注量率对单粒子效应影响研究及微通道板离子探测器研制学位论文 OAI收割北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018 作者: 罗捷 \| 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2018/12/28 单粒子效应注量率微通道板离子注量探测器静态随机存储器
	电场诱导下磁性薄膜的磁化翻转学位论文 OAI收割北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 文宏玉 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2018/06/04 磁化翻转自旋转移矩 Landau-lifshitz-gilbert（llg）方程磁随机存储器
	硬X射线调制望远镜卫星1553B总线芯片RAM故障容错设计期刊论文 OAI收割航天器工程, 2018, 卷号: 27, 期号: 05, 页码: 107-113 作者: 董振辉; 穆强; 毛亮; 张红军; 张睿 \| 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2019/07/12 硬X射线调制望远镜卫星随机存取存储器 1553B总线芯片容错设计
	超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应期刊论文 OAI收割物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 7, 页码: 258-263 作者: 郑齐文; 崔江维; 王汉宁; 周航; 余徳昭; 魏莹; 苏丹丹 \| 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2016/06/02 总剂量辐射效应超深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管静态随机存储器
	大容量DRAM的刷新开销问题及优化技术综述期刊论文 OAI收割计算机研究与发展, 2016, 卷号: 53.0, 期号: 002, 页码: 416 作者: 崔泽汉; 陈明宇 \| 收藏 \| 浏览/下载：42/0 \| 提交时间：2023/12/04 主存动态随机存储器刷新性能功耗保持时间不必要刷新
	静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究学位论文 OAI收割中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 郑齐文 \| 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2015/06/15 大规模集成电路总剂量辐射静态随机存储器损伤机制试验方法
	基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究学位论文 OAI收割工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽收藏 \| 浏览/下载：234/0 \| 提交时间：2015/09/02 绝缘体上硅 KFZ加固单粒子翻转静态随机存储器 silcon-on-insulator(SOI) radiation hardness sigle event upset(SEU) static random access memory(SRAM)