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半导体研究所 [2]
南海海洋研究所 [1]
微电子研究所 [1]
海洋研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
学位论文 [3]
专利 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2017 [1]
2016 [1]
2014 [2]
2008 [1]
学科主题
半导体器件 [2]
微电子学 [2]
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
孔祥挺
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2017/06/05
InGaAs沟道
高迁移率
MOSFET
Ge/Si衬底
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李士颜
收藏
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浏览/下载:89/0
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提交时间:2016/06/02
高深宽比限制技术
选区外延技术
Si基III-V族异质外延
Si基高迁移率III-V族MOSFET
纳米激光器
一种鱼类高迁移率族蛋白及其应用
专利
OAI收割
专利类型: 发明, 专利号: CN201310480020.9, 申请日期: 2014-01-08, 公开日期: 2014-01-08
作者:
龙昊
;
孙铂光
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2014/08/04
一种鱼类高迁移率族蛋白
其特征在于:高迁移率族蛋白为半滑舌鳎高迁移率族蛋白
由序列表SEQ ID No.1中的氨基酸序列所示。
太平洋牡蛎天然免疫相关因子的克隆和功能研究
学位论文
OAI收割
博士: 中科院研究生院, 2014
李军
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浏览/下载:63/0
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提交时间:2014/12/17
太平洋牡蛎
天然免疫
高迁移率族蛋白1
同种移植炎症因子1
白介素17
具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 5,554-558
作者:
魏珂
;
刘新宇
;
和致经
;
吴德馨
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/05/27
Algan/gan
高迁移率晶体管
肖特基特性
击穿电压
场板结构