机构

• 半导体研究所 [2]
• 生态环境研究中心 [2]
• 地理科学与资源研究所 [1]
• 水土保持研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2023 [1]
• 2012 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [2]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 环境工程::水处理工... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Assessing agricultural non-point source pollution loads in typical basins of upper Yellow River by incorporating critical impacting factors 期刊论文  OAI收割 PROCESS SAFETY AND ENVIRONMENTAL PROTECTION, 2023, 卷号: 177, 页码: 17-28 作者:  Zhou, Jinhan;  Liu, Xiaohuang;  Liu, Xiaojie;  Wang, Weili;  Wang, Lingqing   |  收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2023/09/07 Pollution load  Non -point source pollution  Rainfall  Topographic driving  Interception  Calculate   滴灌土壤湿润体特性室外试验研究 期刊论文  OAI收割 中国农村水利水电, 2012, 期号: 03, 页码: 1-6 卢俊寰; 汪有科 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/06/26 滴灌  ：ｄｒｉｐ　ｉｒｒｉｇａｔｉｏｎ  点源入渗  ｐｏｉｎｔ　ｓｏｕｒｃｅ　ｉｎｆｉｌｔｒａｔｉｏｎ  湿润锋  ｗｅｔｔｅｄ　ｆｒｏｎｔ  土壤水分分布  ｓｏｉｌ　ｗａｔｅｒ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ   农村非点源降水径流污染减量研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2007 张占业 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/05/26 农村非点源污染  木质素聚合物  降雨地表径流削减  水体污染  降水促渗 rural non-point source pollution  lignin copolymer  rainfall runoff  water pollution  enhance infiltration.   Reducing non-point source pollution with enhancing infiltration 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ENVIRONMENTAL SCIENCES-CHINA, 2006, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 115-119 作者:  Liu, C;  Mu, HZ;  Zheng, T;  Huang, YC;  Zhang, CP   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/10/21 Runoff  Enhancing Infiltration  Lignin Polymer  Non-point Source Pollution   Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293 Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang BQ (Wang B. Q.); Zhu ZP (Zhu Z. P.) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/04/11 characterization  point defects  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium compounds  semiconducting indium compounds  semiconducting ternary compounds  1.55 MU-M  QUANTUM-WELLS  TEMPERATURE  GAAS   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文  OAI收割 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY