机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2000 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence study of InAlAs quantum dots grown on differently oriented surfaces 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 21-24 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：121/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION  MONOLAYER COVERAGE  GAAS  INAS  INGAAS  TEMPERATURE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)   Substrate surface atomic structure influence on the growth of InAlAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 608-612 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  atomic-terminated surface  quantum dots  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MONOLAYER COVERAGE  INAS  GAAS  GE  INXGA1-XAS  ENSEMBLES  GAAS(100)  3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION