机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2007 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Comparison between gradient-doping GaAs photocathode and uniform-doping GaAs photocathode 期刊论文  OAI收割 applied optics, 2007, 卷号: 46, 期号: 28, 页码: 7035-7039 Yang Z (Yang Zhi); Chang B (Chang Benkang); Zou J (Zou Jijun); Qiao J (Qiao Jianliang); Gao P (Gao Pin); Zeng Y (Zeng Yiping); Li H (Li Hui) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/29 ACTIVATED GAAS   Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS