机构

• 物理研究所 [1]
• 长春光学精密机械与物... [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2018 [1]
• 2011 [1]
• 2008 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics   Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102 作者:  Pan X;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：91/7  |  提交时间：2011/07/05 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  AL-CONTENT  STRESS-CONTROL  PHASE EPITAXY  ALGAN  BUFFER  LAYERS  HETEROSTRUCTURES  INTERLAYERS  SILICON   Growth of Highly Conductive n-Type Al0.7Ga0.3N Film by Using AlN Buffer with Periodical Variation V/III Ratio 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4449 Zhang, J; Guo, LW; Xing, ZG; Ge, BH; Ding, GJ; Peng, MZ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  X-RAY-DIFFRACTION  ALGAN LAYERS  HIGH-QUALITY  GAN FILMS  SAPPHIRE  OPERATION