机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Fabrication of gan epitaxial films on al2o3/si (001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 作者:  Wang, LS;  Liu, XG;  Zan, YD;  Wang, D;  Wang, J 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication of gan epitaxial films  Al2o3/si(001) substrate  Metalorganic chemical deposition  Crystal structure and surface morphology  Photoluminescence spectrum   Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films  Al2O3/Si(001) substrate  metalorganic chemical deposition  crystal structure and surface morphology  photoluminescence spectrum  GROWTH  DIODES  BUFFER LAYER