机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 22 作者:   收藏  |  浏览/下载：132/0  |  提交时间：2012/08/24 BERKOVICH NANOINDENTATION  THIN-FILMS  INDENTATION  MECHANISMS  EPILAYERS   Dislocation cross-slip in GaN single crystals under nanoindentation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 22, 页码: art. no. 221906 Huang J; Xu K; Gong XJ; Wang JF; Fan YM; Liu JQ; Zeng XH; Ren GQ; Zhou TF; Yang H 收藏  |  浏览/下载：62/1  |  提交时间：2011/07/06 BERKOVICH NANOINDENTATION  THIN-FILMS  INDENTATION  MECHANISMS  EPILAYERS