机构

• 物理研究所 [3]
• 过程工程研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2003 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 SiC nanowire networks 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2003, 卷号: 352, 期号: 1-2, 页码: 279 Li, HJ; Li, ZJ; Meng, AL; Li, KZ; Zhang, XN; Xu, YP 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 BETA-SILICON-CARBIDE  FIELD-EMISSION  NANORODS  NANOTUBES  STRENGTH  GROWTH   Synthesis of SiC precursors by a two-step sol-gel process and their conversion to SiC powders 期刊论文  OAI收割 Journal of the European Ceramic Society, 2000, 期号: 11, 页码: 1853-1857 Li, J. W.; Tian, J. M.; Dong, L. M. 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/11/15 powders-solid state reaction  precursors-organic  SiC  sol gel processes  beta-silicon-carbide  ultrafine   Molecular-dynamics simulation of Al/SiC interface structures 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 1999, 卷号: 59, 期号: 15, 页码: 10125 Luo, X; Qian, GF; Wang, EG; Chen, CF 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/18 AMORPHOUS INTERGRANULAR FILMS  METAL-MATRIX COMPOSITES  BETA-SIC WHISKERS  SILICON-CARBIDE  ALUMINUM COMPOSITES  SURFACES  MICROSTRUCTURE  SEMICONDUCTORS  POTENTIALS  STABILITY   Systematic study of beta-SiC surface structures by molecular-dynamics simulations 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 1998, 卷号: 57, 期号: 15, 页码: 9234 Luo, X; Qian, GF; Fei, WD; Wang, EG; Chen, CF 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/09/24 AB-INITIO CALCULATIONS  BETA-SIC(100) SURFACES  INTERATOMIC POTENTIALS  ATOMIC-STRUCTURE  SILICON-CARBIDE  III-V  RECONSTRUCTION  CARBON  ENERGETICS  DIAMOND