机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• Instrument... [1]
• Materials ... [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of preparing process on total-dose radiation response of high-k Hf-based gate dielectrics 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 517, 期号: 1, 页码: 465-467 Song, ZR; Cheng, XH; Zhang, EX; Xing, YM; Yu, YH; Zhang, ZX; Wang, X; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 BORON PENETRATION  TRANSISTORS  CHARGE  SI   Influence of nitrogen element on total-dose radiation response of high-k Hf-based dielectric films 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2007, 卷号: 257, 页码: 501-504 Song, ZR; Cheng, XH; Zhang, EX; Xing, YM; Shen, QW; Yu, YH; Zhang, ZX; Wang, X; Shen, DS 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 GATE DIELECTRICS  BORON PENETRATION  TRANSISTORS  CHARGE  SI   Characterization of 1.9-and 1.4-nm ultrathin gate oxynitride by oxidation of nitrogen-implanted silicon substrate 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2004, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 113-120 作者:  Xu, QX;  Qian, H;  Han, ZS;  Lin, G;  Liu, M   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/04/09 Boron Penetration  Micro-roughness Of Interface  Oxidation Of N-implanted Silicon Substrate  Oxidation Retardation  Tunneling Leakage  Ultrathin Gate Oxynitride