机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2013 [1]
• 2003 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Suppression of thermal degradation of InGaN/GaN quantum wells in green laser diode structures during the epitaxial growth 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 期号: 15 作者:  Yang, H(杨辉);  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Wang, HB(王怀兵);  Liu, JP（刘建平） 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/01/15 C-PLANE GAN  HYDROGEN TREATMENT  INDIUM SEGREGATION  SUBSTRATE  DEFECTS   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS