机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2012 [1]
• 2006 [1]
• 1998 [1]
• 1997 [1]
• 1991 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Field electron emission based on resonant tunneling in diamond/CoSi2/Si quantum well nanostructures 期刊论文  OAI收割 SCIENTIFIC REPORTS, 2012, 卷号: 2 Gu, CZ; Jiang, X; Lu, WG; Li, JJ; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-DEPOSITED DIAMOND  COLD CATHODES  THIN-FILMS  COSI2  MECHANISM  SURFACES  EMITTER  GROWTH   Internal stress and adhesion of Cu film/Si prepared by both MEVVA and IBAD 期刊论文  OAI收割 Surface & Coatings Technology, 2006, 卷号: 201, 期号: 3-4, 页码: 1243-1249 M. Yu; J. Z. Zhang; D. X. Li; Q. L. Meng; W. Z. Li 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/14 MEVVA  IBAD  copper film  compressive stress  adhesion  deposited thin-films  intrinsic stress  residual-stress  cosi2 films  bombardment  diamond   Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)   Continuous CoSi2 layers in silicon synthesized by Co-ion implantation 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 1997, 卷号: 32, 期号: 2-3, 页码: 121-126 J. Z. Zhang; X. Y. Ye; J. Chang; S. Bernard 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/14 silicide  cobalt  CoSi2  ion implantation  buried cosi2  beam synthesis  beta-fesi2  growth   INTERACTION OF CO WITH SI AND SIO2 DURING RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 7612-7619 CHEN WD; CUI YD; HSU CC; TAO J 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/15 GROWTH  SILICIDES  KINETICS  CRYSTAL  SILICON  FILMS  COSI2  CO2SI  TI