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机构
半导体研究所 [2]
南海海洋研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2017 [1]
1999 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Surface sediment quality relative to port activities: A contaminant-spectrum assessment
期刊论文
OAI收割
SCIENCE OF THE TOTAL ENVIRONMENT, 2017, 卷号: 596, 页码: 342-350
作者:
Yu, S
;
Hong, B
;
Ma, J
;
Chen, YS
;
Xi, XP
收藏
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浏览/下载:93/0
  |  
提交时间:2017/09/08
Contaminant spectrum
Heavy metal
Persistent organic pollutant
Sediment quality guidelines
Surface sediment
Port activity
Electrical properties of gan deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using nh3 cracked on the growing surface
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 429-432
作者:
Zhang, JP
;
Sun, DZ
;
Li, XB
;
Wang, XL
;
Kong, MY
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Hydrogen contaminant
Gsmbe
Raman spectrum
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 429-432
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
hydrogen contaminant
GSMBE
Raman spectrum
GROWTH
STRESS