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半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2000 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
OAI收割
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
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提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
Point defects in iii-v compound semiconductors
期刊论文
iSwitch采集
Defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 页码: 85-93
作者:
Chen, N
收藏
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提交时间:2019/05/12
Compound semiconductors
Point defects
Deep level centres
Stoichiometry