机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100) 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 ACTIVATED BONDING METHOD  ROOM-TEMPERATURE  EPITAXIAL OVERGROWTHS  SURFACE  CRYSTAL  GAAS  TECHNOLOGY  ENERGY  FILMS   Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction 期刊论文  OAI收割 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen); Wang YT (Wang Yu-Tian) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/04/11 InP  Si  X-ray double crystalline diffraction  thermal strain  wafer bonding  OPTOELECTRONIC DEVICES  EPITAXIAL OVERGROWTHS  TEMPERATURE  INTERFACE  STRESSES  VCSELS  SURFACES  ENERGY