中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [2]
兰州化学物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2019 [1]
2011 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Ga-based liquid metal: A novel current-carrying lubricant
期刊论文
OAI收割
Tribology International, 2019, 卷号: 135, 期号: 1, 页码: 457–462
作者:
Yang J(杨军)
;
Guo J(郭杰)
;
Cheng J(程军)
;
Tan H(谈辉)
;
Zhu SY(朱圣宇)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:73/0
  |  
提交时间:2019/11/25
Ga-based liquid metal
Lubrication mechanism
Current-carrying lubricant
Electric contacts
Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 6, 页码: 64001, 64001
作者:
Zhang, Renping
;
Yan, Wei
;
Wang, Xiaoliang
;
Yang, Fuhua
;
Zhang, R.(zhangrenping@semi.ac.cn)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Aspect ratio
Current density
Drain current
Electric network analysis
Electric network analyzers
Electron mobility
Fabrication
Gallium nitride
Ohmic contacts
Passivation
Silicon nitride
Silicon wafers
Aspect Ratio
Current Density
Drain Current
Electric Network Analysis
Electric Network Analyzers
Electron Mobility
Fabrication
Gallium Nitride
Ohmic Contacts
Passivation
Silicon Nitride
Silicon Wafers
Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 6, 页码: 64007, 64007
作者:
Guo, Enqing
;
Liu, Zhiqiang
;
Wang, Liancheng
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2012/06/14
Drops
Efficiency
Electric contactors
Gallium nitride
Light emission
Ohmic contacts
Silica
Drops
Efficiency
Electric Contactors
Gallium Nitride
Light Emission
Ohmic Contacts
Silica