机构

• 上海技术物理研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2013 [3]

学科主题

• 红外基础研究 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The creep process of the domain switching in poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)ferroelectric thin films 期刊论文  OAI收割 Appl.Phys.Lett, 2013, 卷号: 0, 期号: 7 B.B.Tian Z.H.Chen A.Q.Jiang X.L.Zhao B.L.Liu J.L.Wang L.Han Sh.Sun J.L.Sun X.J.Meng andJ.H.Chu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/10 Polarization  Electricfields  Domainwalls  Capacitors  Creep   The nonlinear Rashba effect in Hg0.77Cd0.23Te inversion layers probed by weak antilocalization analysis 期刊论文  OAI收割 J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 1 作者:  X.Z.Liu G.Yu L.M.Wei T.Lin Y.G.Xu J.R.Yang Y.F.Wei S.L.Guo J.H.Chu N.L.RowellandD.J.Lockwood   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/11/10 Carrierdensity  Quantumwells  Electricfields  Classicalspinmodels  Carriermobility   Enhanced plasmonic resonant excitation in a grating gated field-effect transistor with 期刊论文  OAI收割 OPT EXPRESS, 2013, 卷号: 21, 期号: 2 Guo Nan; Hu Wei-Da; Chen Xiao-Shuang; Wang Lin; Lu Wei 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2014/11/10 Electricfields-Fieldeffecttransistors-Finitedifferencetimedomainmethod-Galliumnitride-Semiconductordoping-Surfaceplasmonresonance