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新疆理化技术研究所 [1]
中国科学院大学 [1]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2019 [1]
2016 [1]
学科主题
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共2条,第1-2条
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Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors
期刊论文
OAI收割
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ]
;
Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ]
;
Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]
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浏览/下载:116/0
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提交时间:2019/05/14
Back-gate biasing
forward body bias (FBB)
total ionizing dose (TID)
ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)
A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application
期刊论文
iSwitch采集
Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69
作者:
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提交时间:2019/05/09
Low voltage
Lna
Modified complementary current-reused
Diode connected mosfet bias
Forward body-bias
Harmonic rejection