机构

• 半导体研究所 [2]
• 西安光学精密机械研究... [2]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 国家天文台 [1]
• 中国科学院大学 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 专利 [1]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2019 [2]
• 2016 [1]
• 2014 [1]
• 2008 [2]
• 1988 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Beam pointing analysis and a novel coarse pointing assembly design in space laser communication 期刊论文  OAI收割 Optik, 2019, 卷号: 189, 页码: 130-147 作者:  Zhang, Fu rui;  Han, Jun-feng;  Ruan, Ping   |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/07/02 Space laser communication  Coarse pointing assembly  Flexible mechanism  Beam pointing  Kinematic analysis   Total Ionizing Dose Responses of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 702-709 作者:  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ];  Xu, LW (Xu, Liewei)[ 2 ];  Ning, BX (Ning, Bingxu)[ 3 ];  Zhao, K (Zhao, Kai)[ 3 ]   |  收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/05/14 Back-gate biasing  forward body bias (FBB)  total ionizing dose (TID)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon-on-insulator (UTBB FD-SOI)   A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69 作者:  Dai, Ruofan;  Zheng, Yunlong;  He, Jun;  Liu, Guojun;  Kong, Weiran 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/09 Low voltage  Lna  Modified complementary current-reused  Diode connected mosfet bias  Forward body-bias  Harmonic rejection   The Local Void: for or against Lambda CDM? 期刊论文  OAI收割 MONTHLY NOTICES OF THE ROYAL ASTRONOMICAL SOCIETY, 2014, 卷号: 441, 期号: 2, 页码: 933-938 作者:  Xie, Lizhi;  Gao, Liang;  Guo, Qi 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/11/25 methods: numerical  galaxies: haloes  dark matter   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：74/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD   Semiconductor light-emitting device 专利  OAI收割 专利号: JP1988164384A, 申请日期: 1988-07-07, 公开日期: 1988-07-07 作者:  SERIZAWA HIROMOTO;  HORI YOSHIKAZU;  MATSUI YASUSHI;  ODANI JIYUN;  UNO TOMOAKI   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18