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• 物理研究所 [1]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

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• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2014 [1]
• 2008 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Yang H(杨辉);  Zhang SM(张书明) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/12/01 GAN/SAPPHIRE INTERFACE  ELECTRON-TRANSPORT  CARBON  LAYER  FE   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 9 Mei, F; Fu, QM; Peng, T; Liu, C; Peng, MZ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 FE-DOPED GAN  GAN/SAPPHIRE INTERFACE  (-/0)-ACCEPTOR LEVEL  HEMT STRUCTURES  SAPPHIRE  LAYER  DISLOCATION  ENHANCEMENT  SUBSTRATE  TRANSPORT