机构

• 半导体研究所 [2]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• Engineerin... [1]
• 红外基础研究 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain 期刊论文  OAI收割 Opt Quant Electron, 2013, 卷号: 45, 期号: 7 作者:  W.D.Hu L.Wang X.S.Chen N.Guo J.S.Miao A.Q.Yu W.Lu   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/11/10 Plasmonicresonantabsorption  Gratinggate  Finitedifferencetimedomain  (Fdtd)Numericalsimulation  Plasmonwave  Farinfraredterahertzdetection  Ganhemts   Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, CM; Wang, XL; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：126/30  |  提交时间：2010/03/29 HIGH BREAKDOWN VOLTAGE  MOBILITY TRANSISTORS  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  GANHEMTS   Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765 Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN/AlN/GaN  two-dimensional electron gas  MOCVD  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  POLARIZATION  TRANSISTORS  GANHEMTS  GAS   Broadband microwave noise characteristics of high-linearity composite-channel Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 521-523 Cheng, ZQ; Liu, J; Zhou, YG; Cai, Y; Chen, KJ; Lau, KM 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 PERFORMANCE  GANHEMTS  DC  RF