机构

• 高能物理研究所 [2]
• 金属研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [3]
• 2008 [1]

学科主题

• Physics [1]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2010, 期号: 5, 页码: 571-574 作者:  Zhao DG(赵德刚);  Zhang S(张爽);  Liu WB(刘文宝);  Hao XP(郝小鹏);  Jiang DS(江德生) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/25 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector   Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 57802 作者:  Zhao, DG;  Zhang, S;  Liu, WB;  Hao, XP;  Jiang, DS 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/06/29 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector   Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802 Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhang S (Zhang Shuang); Liu WB (Liu Wen-Bao); Hao XP (Hao Xiao-Peng); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Wang H (Wang Hui); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui); Wei L (Wei Long) 收藏  |  浏览/下载：92/2  |  提交时间：2010/05/24 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector  REVERSE-BIAS LEAKAGE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-N-JUNCTIONS  POSITRON-ANNIHILATION  DIODES  FILMS   First-principles investigation of intrinsic defects and (N, O) impurity atom stimulated Al vacancy in Ti(2)AlC 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 26 T. Liao; J. Y. Wang; Y. C. Zhou 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/13 ab initio calculations  aluminium compounds  nanotechnology  nanowires  nitrogen  oxygen  titanium compounds  vacancies (crystal)  surfaces  ga