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半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2005 [2]
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共2条,第1-2条
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Characteristics of gan film prepared by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 746-749
作者:
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Zhuang, HZ
;
Wang, SY
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提交时间:2019/05/12
Gan
Ga2o3/al2o3 film
Ammoniating
Magnetron sputtering
Formation of gan film by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 312-315
作者:
Wei, QQ
;
Xue, CS
;
Sun, ZC
;
Cao, WT
收藏
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提交时间:2019/05/12
Gan
Ga2o3/al2o3 film
Ammoniating
Magnetron sputtering