机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 1996 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Characterization and improvement of GaAs layers grown on Si using an ultrathin a-Si film as a buffer layer 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 8a, 页码: l960-l963 Hao MS; Shao CL; Soga T; Jimbo T; Umeno M; Liang JW; Zheng LX; Xiao ZB; Xiao JF 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 GaAs/Si epilayer  a-Si buffer layer  deep level  MOCVD  DISLOCATION DENSITY   Assessment of the structural properties of GaAs/Si epilayers using X-ray (004) and (220) reflections 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1996, 卷号: 35, 期号: 12a, 页码: 6017-6018 Hao MS; Wang YT; Shao CL; Soga TS; Liang JW; Jimbo T; Umeno M 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 lattice constant  misorientation  X-ray reflection  GaAs/Si epilayer  SI