机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2002 [1]
• 2001 [1]
• 1997 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 TEM observation of the phase transition in indented GaAs 期刊论文  OAI收割 Materials Letters, 2002, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 200-204 Z. C. Li; L. Liu; X. Wu; L. L. He; Y. B. Xu 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2012/04/14 GaAs single crystal  Vickers indentation  phase transition  high-pressure  silicon  indentation  hardness  microindentation  crystals   Structure at microcrack-tip and fracture in entire brittle solid 期刊论文  OAI收割 ACTA METALLURGICA SINICA, 2001, 卷号: 37, 期号: 5, 页码: 503-506 作者:  Li, ZC;  Liu, L;  Wu, X;  He, LL;  Xu, YB   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/02 GaAs single crystal  low-load indentation  structure at crack-tip and propagation of crack  electron microscopy   Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/11/17 low temperature  molecular beam epitaxy  GaAs single crystal  lattice parameter  arsenic interstitial couples  arsenic precipitates  effects of backgating or sidegating  LAYERS  DEPENDENCE