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机构
长春光学精密机械与物... [1]
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
学位论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2012 [1]
2002 [1]
学科主题
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共2条,第1-2条
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GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文)
期刊论文
OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:
陈一仁
;
李志明
;
蒋红
;
黎大兵
;
宋航
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提交时间:2013/03/11
AlN
GaN缓冲层
晶体结构
晶粒尺寸
GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2002
赵智彪
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提交时间:2012/03/06
GaN
AIGaN/GaN
射频等离子分子束外延
缓冲层
欧姆接触