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GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文  OAI收割
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  
陈一仁;  李志明;  蒋红;  黎大兵;  宋航
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GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2002
赵智彪  
收藏  |  浏览/下载:25/0  |  提交时间:2012/03/06