机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [3]
• 1999 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Epitaxial growth and characterization of GaN Films on (001) GaAs substrates by radio-frequency molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 390 Liu, HF; Chen, H; Wan, L; Li, ZQ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  LIGHT-EMITTING DIODES  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  HETEROSTRUCTURE   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic gan films on gaas(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 作者:  Sun, XL;  Wang, YY;  Yang, H;  Li, JB;  Zheng, LX 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Metalorganic chemical vapor deposition  Cubic gan  Hexagonal phase content  4-circle x-ray double crystal diffraction   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 237-240 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Sun XL; Wang YY; Yang H; Li JB; Zheng LX; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/15 metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  hexagonal phase content  4-circle X-ray double crystal diffraction  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GALLIUM NITRIDE  THIN-FILMS  SILICON  GAAS   Annealing behavior of hexagonal phase content in cubic gan thin films grown on gaas (001) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 763-768 作者:  Sun, XL;  Yang, H;  Wang, YT;  Li, GH;  Zheng, LX 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/05/12 Cubic phase  Gan hexagonal phase  Boundary layer   Annealing behavior of hexagonal phase content in cubic GaN thin films grown on GaAs (001) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 763-768 Sun XL; Yang H; Wang YT; Li GH; Zheng LX; Li JB; Xu DP; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic phase  GaN hexagonal phase  boundary layer  EPITAXY  PHONONS  RAMAN-SPECTROSCOPY