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	硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 周旭亮收藏 \| 浏览/下载：37/0 \| 提交时间：2014/05/28 III-V族半导体硅基 MOCVD 场效应晶体管 Ge表面
	硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2014 - 收藏 \| 浏览/下载：329/0 \| 提交时间：2016/11/06 III-V族半导体硅基 MOCVD 场效应晶体管 Ge表面
	X射线衍射研究表面活化剂对异质外延薄层Ge结构的影响期刊论文 OAI收割物理学报, 1997, 期号: 9, 页码: 5 作者: 朱海军; 蒋最敏; 郑文莉; 姜晓明收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2015/12/25 异质外延 Ge X射线衍射研究表面活化剂外延层高能电子衍射缓冲层衍射技术岛状外延生长