机构

• 物理研究所 [9]
• 半导体研究所 [6]
• 金属研究所 [4]
• 力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [19]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [19]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [2]
• 2011 [2]
• 2009 [4]
• 2008 [1]
• 2006 [2]
• 2004 [1]
• 更多

学科主题

• 光电子学 [3]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Half metallicity through wide range of lattice constants in Heusler alloys Co2MnGa1-xGex: First-principles calculations 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2012, 卷号: 249, 期号: 4, 页码: 840-846 H. M. Huang; S. J. Luo; K. L. Yao 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/02/05 first-principles calculations  half-metallicity  Heusler alloys  ab-initio  si  compound  ge  spintronics  prediction  mn  fe  ga  al   Temperature compensating Elinvar character in Fe-Mn-Si alloys 期刊论文  OAI收割 Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2012, 卷号: 324, 期号: 5, 页码: 853-856 Y. S. Zhang; X. Tian; Z. X. Qin; H. C. Jiang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/02/05 Fe-Mn-Si alloy  Elinvar character  Antiferromagnetic order  Exchange  energy  neel transition  ge alloys   First-principles study on the electronic structure of dilute magnetic semiconductor Ga(1-x)Cr(x)P in zinc-blende phase 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2011, 卷号: 248, 期号: 5, 页码: 1258-1263 H. M. Huang; S. J. Luo; K. L. Yao 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/04/13 dilute magnetic semiconductors  density functional theory  electron  density of states  GaCrP  half-metallic ferromagnets  heusler alloys  doped gap  spin  gaas  ge  al  si   Unusual magnetization process of Gd5Ge4: Effects of impurities of Gd 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 2 Ouyang, ZW; Xia, ZC; Wang, YC; Rao, GH 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/23 TRANSITION  GD5SI2GE2  GD-5(SI2GE2)  ALLOYS  METALS  PURITY   Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical vapour deposition  Elemental semiconductors  Energy gap  Germanium  Ge-si alloys  Photoluminescence  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor quantum wells  Silicon  Tensile strength   Relationships between strain and band structure in Si(001) and Si(110) nanomembranes 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2009, 卷号: 80, 期号: 11 Euaruksakul, C; Chen, F; Tanto, B; Ritz, CS; Paskiewicz, DM; Himpsel, FJ; Savage, DE; Liu, Z; Yao, YG; Liu, F; Lagally, MG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/24 DEFORMATION POTENTIALS  SILICON NANOMEMBRANES  SI  GE  SURFACE  ALLOYS  MOBILITY  SEMICONDUCTORS  SPECTROSCOPY  RELAXATION   The Magnetocaloric Effect of LaFe11.6Si1.4, La0.8Nd0.2Fe11.5Si1.5, and Ni43Mn46Sn11 Compounds in the Vicinity of the First-Order Phase Transition 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS, 2009, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 693 Zou, JD; Shen, BG; Gao, B; Shen, J; Sun, JR 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/23 ADIABATIC TEMPERATURE-CHANGE  MAGNETIC ENTROPY CHANGE  ROOM-TEMPERATURE  METAMAGNETIC TRANSITION  GD5SI2GE2  REFRIGERATOR  PERFORMANCE  ALLOYS   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：100/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Size-Dependent Interface Phonon Transmission And Thermal Conductivity Of Nanolaminates 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2008 作者:  Liang LH(梁立红);  Wei YG(魏悦广);  Li BW 收藏  |  浏览/下载：789/41  |  提交时间：2009/08/03 Si/Ge Superlattices  Molecular-Dynamics  Nanocrystals  Temperatures  Conductance  Transport  Quantum  Alloys   Comparison between double crystals X-ray diffraction micro-Raman measurement on composition determination of high Ge content Si1_xGex layer epitaxied on Si substrate 期刊论文  OAI收割 journal of materials science & technology, 2006, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 651-654 Zhao L (Zhao Lei); Zuo YH (Zuo Yuhua); Cheng BW (Cheng Buwen); Yu JZ (Yu Jinzhong); Wang QM (Wang Qiming) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 Si1_xGex  Ge content  composition determination  double crystals X-ray diffraction (DCXRD)  micro-Raman measurement  BAND-GAP  HETEROSTRUCTURES  SUPERLATTICES  ALLOYS  RELAXATION  SCATTERING  THICKNESS  STRAIN