机构

• 金属研究所 [2]
• 化学研究所 [1]
• 地球化学研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2018 [1]
• 2011 [1]
• 2007 [1]
• 2005 [2]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structural evolution and magnetic properties of anionic clusters Cr2Gen(n=3-14): photoelectron spectroscopy and density functional theory computation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2018, 卷号: 30, 期号: 33 作者:  Liang, Xiaoqing;  Kong, Xiangyu;  Lu, Sheng-Jie;  Huang, Yingying;  Zhao, Jijun   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/04/08 Germanium Cluster  Chromium Doping  Photoelectron Spectrum  Antiferromagnetic  Ferromagnetic   Improvement in the mechanical performance of Czochralski silicon under indentation by germanium doping 期刊论文  OAI收割 Scripta Materialia, 2011, 卷号: 64, 期号: 9, 页码: 832–835 作者:  Zhidan Zeng;  Lin Wang;  Xiangyang Ma;  Shaoxing Qu;   Jiahe Chen;  Yonggang Liu;  Deren Yang   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/08/26 Silicon  Nanoindentation  Phase Transformation  Raman Spectroscopy  Germanium Doping   The Raman spectroscopy of neutron transmutation doping isotope (74)Germanium nanocrystals embedded in SiO2 matrix 期刊论文  OAI收割 Solid State Communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 9, 页码: 514-518 Y. W. Hu; T. C. Lu; S. B. Dun; Q. Hu; N. K. Huang; S. B. Zhang; B. Tang; J. L. Dai; L. Resnick; I. Shlimak; S. Zhu; Q. M. Wei; L. M. Wang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/13 isotope Ge nanocrystals  transmuted impurities  laser Raman scattering  neutron transmutation doping  visible photoluminescence  semiinsulating gaas  hopping conduction  thin-films  scattering  germanium  sio2-films  plasmons  phonons  growth   In situ doping control for growth of n-p-n si/sige/si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Doping  Molecular beam epitaxy  Germanium silicon alloys  Semiconducting germanium  Semiconducting silicon  Bipolar transistors   In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 381-385 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Liu, C   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 doping  molecular beam epitaxy  germanium silicon alloys  semiconducting germanium  semiconducting silicon  bipolar transistors