机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [4]

学科主题

• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 作者:  Wang, Wei;  Su, Shaojian;  Zheng, Jun;  Zhang, Guangze;  Xue, Chunlai 收藏  |  浏览/下载：135/0  |  提交时间：2019/05/12 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport   Epitaxial growth and thermal stability of ge(1-x)sn(x) alloys on ge-buffered si(001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 作者:  Su, Shaojian;  Wang, Wei;  Cheng, Buwen;  Zhang, Guangze;  Hu, Weixuan 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium   Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471 Wang W; Su SJ; Zheng J; Zhang GZ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：110/7  |  提交时间：2011/07/05 Germanium tin alloys  Germanium buffer  Surface morphology evolution  Mass transport  SURFACE  GROWTH  EVOLUTION  DECAY   Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 317, 期号: 1, 页码: 43-46 Su SJ; Wang W; Cheng BW; Zhang GZ; Hu WX; Xue CL; Zuo YH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：86/4  |  提交时间：2011/07/05 Thermal stability  Molecular beam epitaxy  Germanium tin alloys  Germanium  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LOW-TEMPERATURE  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1