机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 会议论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of ge-si atomic interdiffusion in ge nano-dots multilayer structure by double crystal x-ray diffraction 期刊论文  iSwitch采集 Journal of materials science & technology, 2007, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 301-303 作者:  Shi, Wenhua;  Zhao, Lei;  Luo, Liping;  Wang, Qiming 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Gesi  Nano-dots  Annealing  Island   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文  OAI收割 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES