机构

• 半导体研究所 [3]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 2008 [3]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301 Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：195/43  |  提交时间：2010/03/08 CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL-CONTENT  ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES  HEMT STRUCTURES  PHASE EPITAXY  SAPPHIRE  GAS  DENSITIES   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 9 Mei, F; Fu, QM; Peng, T; Liu, C; Peng, MZ; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 FE-DOPED GAN  GAN/SAPPHIRE INTERFACE  (-/0)-ACCEPTOR LEVEL  HEMT STRUCTURES  SAPPHIRE  LAYER  DISLOCATION  ENHANCEMENT  SUBSTRATE  TRANSPORT   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：86/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD